Менеджеры обработают заказ и сообщат Вам о доступности товара.
На основе полученной информации Вы подтвердите или отмените заказ.
Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без уведомления.
Цветовые решения продукта, а также иные опциональные элементы, представленные на изображении и в описании, могут отличаться от заявленных в
наименовании данной позиции и создают общее представление о внешнем виде, дизайне и функциональных особенностях продукта. Уточняйте подробные
характеристики товара на сайте производителя.
Полное описание
Современный твердотельный накопитель
Samsung 750 EVO MZ-750120BW
характеризуется высокими показателями последовательного и произвольного чтения/записи, что делает его отличным вариантом для использования ...
Полное описание
Современный твердотельный накопитель
Samsung 750 EVO MZ-750120BW
характеризуется высокими показателями последовательного и произвольного чтения/записи, что делает его отличным вариантом для использования в клиентских персональных компьютерах и ноутбуках. Рассматриваемая модель способна улучшить отзывчивость системы и обеспечить предельную производительность для решения повседневных задач. Благодаря технологии TurboWrite, которая создает буфер внутри накопителя, удалось добиться отличной скорости. Превосходная защита позволяет устройству быть устойчивым к ударам и всевозможным вибрациям. В твердотельном накопителе используется контроллер Samsung MGX с технологией коррекции LDPC, оперативная память стандарта DDR3 объемом 256 Мб и флэш-память TLC.
Техническое описание
Применение: Клиентский ПК
Емкость: 120 Гб
Форм-фактор: 2,5"
Интерфейсы: SATA 6 Gb/s, compatible with SATA 3 Gb/s & SATA 1,5 Gb/s interface
Контроллер: Samsung MGX контроллер
Кэш память: Samsung 256 Мб DDR3 DRAM
Скорость последовательного чтения: До 540 Мб/с
Скорость последовательной записи: До 520 Мб/с
Cкорость случайного чтения блоками 4KB (QD32): До 94 000 IOPS
Скорость случайной записи блоками 4KB (QD32): До 88 000 IOPS
Случайное чтение (4KB, QD1): До 10 000 IOPS
Случайная запись (4KB, QD1): До 35 000 IOPS
Среднее время наработки на отказ (MTBF): 1,5 млн часов
Диапазон рабочих температур: 0 °C - 70 °C
Ударостойкость: 1 500 G, в течение 0,5 мс по 3 осям
Поддержка: TRIM, S.M.A.R.T, GC (Garbage Collection), WWN, Спящий режим
Каталог
Информация
Поиск
![Samsung SSD диск 120 ГБ 2.5" "750 EVO" MZ-750120BW (SATA III) (ret) [132673]](/pic.php?jpg=G5838009.jpg)
