Внутренний SSD-накопитель 1000Gb Samsung 850 Evo (MZ-N5E1T0BW) M.2 SATA3
Артикул: 6980355
25060 руб.
Уточнять наличие
-1
+1
Положите товар в корзину и оформите заказ.
Менеджеры обработают заказ и сообщат Вам о доступности товара.
На основе полученной информации Вы подтвердите или отмените заказ.
Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без уведомления.
Цветовые решения продукта, а также иные опциональные элементы, представленные на изображении и в описании, могут отличаться от заявленных в
наименовании данной позиции и создают общее представление о внешнем виде, дизайне и функциональных особенностях продукта. Уточняйте подробные
характеристики товара на сайте производителя.
Внутренний SSD-накопитель 1000Gb Samsung 850 Evo (MZ-N5E1T0BW) M.2 SATA3
Описание 1024 ГБ SSD M.2 накопитель Samsung 850 EVO [MZ-N5E1T0BW]
В обычной флэш-памяти типа NAND ячейки, в которых хранится информация, плоские. ...
Описание 1024 ГБ SSD M.2 накопитель Samsung 850 EVO [MZ-N5E1T0BW]
В обычной флэш-памяти типа NAND ячейки, в которых хранится информация, плоские. Такую память просто изготавливать, но она обладает рядом недостатков: для повышения ёмкости чипа приходится уменьшать размеры ячеек, что увеличивает их влияние друг на друга и снижает надёжность хранения информации. SSD накопители Samsung изготавливаются с использованием инновационной архитектуры 3D V-NAND, в которой ячейки имеют цилиндрическую форму, устраняющую влияние их друг на друга, а увеличение ёмкости достигается за счёт расположения их в несколько слоёв — без ущерба для надёжности хранения данных и скорости работы. Чипы памяти в накопителях серии 850 EVO имеют 32 слоя ячеек, расположенных друг над другом. Такая конструкция позволяет создать память, одновременно ёмкую, быструю и надёжную
Классификация
Модель
Samsung 850 EVO [MZ-N5E1T0BW]
Аппаратная составляющая
Контроллер
Samsung MGX
Тип памяти
3D V-NAND
Интерфейс NAND памяти
V-NAND
Буферная память
1024 МБ
Плата
Форм-фактор
2280
Длина
80 мм
Ширина
22 мм
Толщина
2.38 мм
Компоновка чипов памяти
односторонняя
Подключение
Ключ M.2 разъема
B & M
Интерфейс
PCI-E 3.0 x4
NVMe
есть
Адаптер PCI-E - M.2 в комплекте
нет
Показатели скорости
Максимальная скорость последовательного чтения (Мбайт/с)
540 Мбайт/с
Максимальная скорость последовательной записи (Мбайт/с)
520 Мбайт/с
Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD32)
97000 IOPS
Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD32)
89000 IOPS
Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD1)
10000 IOPS
Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD1)
40000 IOPS
Пропускная способность интерфейса
6 Гбит/с
Надежность
MTBF (Среднее время между отказами)
1.5 млн ч
Максимальная перегрузка (ударостойкость)
20 G (длительная)
Дополнительно
Поддержка команды TRIM
есть
Энергопотребление
2.7 Вт
Особенности, дополнительно
AES 256-bit, Full Disk Encryption, IEEE1667, TCG/Opal V2.0
Каталог
Информация
Поиск
