Уважаемые клиенты!
Мы уходим на вынужденный больничный, владелец сайта попал в больницу с 24 августа и по мере выписки Интернет магазин приостанавливает свою деятельность.
Приношу свои извинения за доставленные неудобства. По мере восстановления работы магазина информация появится на сайте.
Все заказы, которые не были отправленены будут разукомплектованы.
Оперативная память SODIMM J Ram [JRS8G1600D3] 8 ГБ
Артикул: 7517680
4940 руб.
Уточнять наличие
-1
+1
Положите товар в корзину и оформите заказ.
Менеджеры обработают заказ и сообщат Вам о доступности товара.
На основе полученной информации Вы подтвердите или отмените заказ.
Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без уведомления.
Цветовые решения продукта, а также иные опциональные элементы, представленные на изображении и в описании, могут отличаться от заявленных в
наименовании данной позиции и создают общее представление о внешнем виде, дизайне и функциональных особенностях продукта. Уточняйте подробные
характеристики товара на сайте производителя.
Оперативная память SODIMM J Ram [JRS8G1600D3] 8 ГБ
Описание Оперативная память SODIMM J Ram [JRS8G1600D3] 8 ГБ
Оперативная память SODIMM 8 Гб предназначена для временного хранения, записи и чтения ...
Описание Оперативная память SODIMM J Ram [JRS8G1600D3] 8 ГБ
Оперативная память SODIMM 8 Гб предназначена для временного хранения, записи и чтения информации. Установив такую компактную планку из 16 чипов на свой ноутбук, пользователь забывает о зависании системы и ее перегревах во время активного серфинга в Интернете, работы с объемными базами данных и загрузке ресурсоемких приложений. Функционируя при напряжении 1,5 В, планка выделяет меньше тепла, потребляя меньше электричества. Материалы, из которых она производится регулярно поддаются тестам на соответствие существующим стандартам качества и усовершенствуются. Модуль типа DDR3 имеет улучшенную энергоэффективность по сравнению с предыдущим поколением, а также более производителен благодаря высшей пропускной способности при тактовой частоте 1600 МГц. Оптимальный уровень латентности CL11 отвечает за быстродействие обмена данными.