Менеджеры обработают заказ и сообщат Вам о доступности товара.
На основе полученной информации Вы подтвердите или отмените заказ.
Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без уведомления.
Цветовые решения продукта, а также иные опциональные элементы, представленные на изображении и в описании, могут отличаться от заявленных в
наименовании данной позиции и создают общее представление о внешнем виде, дизайне и функциональных особенностях продукта. Уточняйте подробные
характеристики товара на сайте производителя.
Полное описание
Твердотельный накопитель
Kingston A1000 SA1000M8/240G
- это решение начального уровня с интерфейсом NVMe PCIe™. Односторонняя конфигурация M.2 (2280) накопителя идеально подходит ...
Полное описание
Твердотельный накопитель
Kingston A1000 SA1000M8/240G
- это решение начального уровня с интерфейсом NVMe PCIe™. Односторонняя конфигурация M.2 (2280) накопителя идеально подходит для тонких ноутбуков и систем с ограниченным пространством. Благодаря интерфейсу PCIe™ Gen 3.0 x2 с поддержкой стандарта NVMe, 4-канальному контроллеру Phison E8 и флеш-памяти 3D NAND, этот накопитель обеспечивает скорость чтения до 1500 МБ/с и записи до 800 МБ/с. Он в 2 раза быстрее твердотельных накопителей с интерфейсом SATA и в 20 раз быстрее обычных жестких дисков. Накопитель отличается исключительно коротким временем отклика, сверхнизкой латентностью и высокой пропускной способностью.
Накопитель A1000 изготовлен с использованием полупроводниковой флеш-памяти NAND, поэтому он более надежен и долговечен, чем жесткий диск. В нем нет движущихся частей, поэтому вероятность сбоя ниже, чем у механического жесткого диска. Также накопитель имеет более низкий уровень шума и нагрева, а ударостойкая и виброустойчивая конструкция делают его идеальным решением для ноутбуков и других мобильных вычислительных устройств.
Техническое описание
Форм-фактор: M.2 2280
Интерфейс: NVMe PCIe™ Gen 3.0, 2 дорожки
Емкость: 240 ГБ
Контроллер: Phison E8
NAND: 3D TLC (3 бита на ячейку памяти)
Скорость последовательного чтения/записи: до 1500/800 МБ/с
Скорость чтения/записи случайных блоков размером 4КБ: до 100 000/80 000 IOPS
Суммарное число записываемых байтов: 150 ТБ
Вибрация при работе: 2,17 G (пиковая) при частоте 7–800 Гц
Вибрация при простое: 20 G (пиковая) при частоте 10–2000 Гц
Ожидаемый срок службы: 1 млн часов MTBF (средняя наработка на отказ)
Энергопотребление: 0,011748 Вт при простое/ 0,075623 Вт среднее значение/ 0,458 Вт (макс.) при чтении/ 0,908 Вт (макс.) при записи
Каталог
Информация
Поиск
